鋁酸鑭（LaAlO3）晶體技術(shù)參數(shù)：晶向：<100>、<110>、<111>；晶體結(jié)構(gòu)：贗立方；晶格常數(shù)：a=3.792A；生長方法：提拉法；熔點(diǎn)：2080℃；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5Mohs；熱膨脹系數(shù)：10×10-6/℃；介電常數(shù)：25；損耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K，LaAlO3晶體單晶襯底，～0.6×10-4@77K。由于大尺寸LaAlo3晶體生長后熱應(yīng)力和后期切割、研磨所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力較大，成都LaAlO3晶體，加上晶棒的顏色較深。因此要消除上述因素，必須對晶體進(jìn)行退火處理。

鋁酸鑭（LaAlO3）晶體有較低的介電損耗，與ZrO2、SrTio3、藍(lán)寶石等襯底材料相比，綜合性能更為理想。產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm；常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111>；晶向公差：+/-0.5度；拋光情況：單拋或雙拋（<110> Ra<15A，LaAlO3晶體基片價(jià)格，<100>和<111>Ra<5A）。注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

LaAlO3晶體介電常數(shù)和介電損耗隨測量頻率的變化，在1kHz~500MHz的頻率范圍內(nèi)，測量溫度為20°C，隨頻率的增加介電常數(shù)略有降低，介電損耗在整個(gè)測量頻率范圍內(nèi)小于1ˇ10-3，說明LaAlO3晶體的高頻性能較好。

拋光情況：單拋或雙拋 （<110> Ra<15A，<100>和<111>Ra<5A）。

鋁酸鑭晶體室溫為三角相，LaAlO3晶體基片，空間群為R3c，屬反鐵電體;在高溫560°以上為立方相，空間群為Pm3m，屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)。

LaAlO3晶體基片價(jià)格-合肥合瑞達(dá)-成都LaAlO3晶體由合肥合瑞達(dá)光電材料有限公司提供。合肥合瑞達(dá)光電材料有限公司（www.hfheruida.com）是一家從事“單晶襯底晶片”的公司。自成立以來，我們堅(jiān)持以“誠信為本，穩(wěn)健經(jīng)營”的方針，勇于參與市場的良性競爭，使“合瑞達(dá)”品牌擁有良好口碑。我們堅(jiān)持“服務(wù)為先，用戶至上”的原則，使合肥合瑞達(dá)在液晶器件中贏得了眾的客戶的信任，樹立了良好的企業(yè)形象。特別說明：本信息的圖片和資料僅供參考，歡迎聯(lián)系我們索取準(zhǔn)確的資料，謝謝！