由于它容易發(fā)射電子而很有用處(如用作白熾燈的燈絲)。用作x射線管的陰極，鉿和鎢或鉬的合金用作高壓放電管的電極。常用作x射線的陰極和鎢絲制造工業(yè)。純鉿具有可塑性、易加工、耐高溫抗腐蝕，是原子能工業(yè)重要材料。鉿的熱中子捕獲截面大，是較理想的中子吸收體，可作原子反應(yīng)堆的控制棒和保護(hù)裝置。鉿粉可作火箭的推進(jìn)器。在電器工業(yè)上可制造x射線管的陰極。鉿的合金可作火箭噴嘴和滑翔式重返大氣層的飛行器的前沿保護(hù)層，hf-ta合金可制造工具鋼及電阻材料。在耐熱合金中鉿用作添加元素，例如鎢、鉬、鉭的合金中有的添加鉿。hfc由于硬度和熔點(diǎn)高，可作硬質(zhì)合金添加劑。4tachfc的熔點(diǎn)約為4215℃，為已知的熔點(diǎn)Zui高的化合物。鉿可作為很多充氣系統(tǒng)的吸氣劑。鉿吸氣劑可除去系統(tǒng)中存在的氧、氮等不需要?dú)怏w。鉿常作為液壓油的一種添加劑，防止在高危作業(yè)時(shí)候液壓油的揮發(fā)，具有很強(qiáng)的抗揮發(fā)性，這個(gè)特性的話，所以一般用于工業(yè)液壓油。醫(yī)學(xué)液壓油。

鉿元素也用于Zui新的intel45納米處理器。由于二氧化硅（sio2）具有易制性(manufacturability)，且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能，因此過去40余年來，處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質(zhì)的材料。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅柵極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米，相當(dāng)于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和散熱難度亦會(huì)同時(shí)增加，產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能，因此若繼續(xù)采用目前材料，進(jìn)一步減少厚度，柵極電介質(zhì)的漏電情況勢(shì)將會(huì)明顯攀升，令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問題，英特爾正規(guī)劃改用較厚的高k材料(鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì)）作為柵極電介質(zhì)，取代沿用至今已超過40年的二氧化硅，此舉也成功使漏電量降低10倍以上。另與上一代65納米技術(shù)相較，英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍，得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積，令產(chǎn)品較對(duì)手更具競(jìng)爭(zhēng)力，此外，晶體管開關(guān)動(dòng)作所需電力更低，耗電量減少近30%，內(nèi)部連接線(interconnects) 采用銅線搭配低k電介質(zhì)，順利提升效能并降低耗電量，開關(guān)動(dòng)作速度約加快 20%